2D氮化鎵（GaN）因其量子限制效應能夠實現深紫外發射，激子效應和電子傳輸性質而備受關注
2018-11-05
目前獲得的2D GaN僅可以作為原子級薄量子阱或納米級島的嵌入層存在，限制了其固有特性進一步探索。武漢大學付磊課題組首次報道了2D GaN單晶的成功生長，并研究了GaN單晶在2D極限下的性能。使用尿素作為氮源，通過CVD的表面限制氮化反應（SCNR）在液態金屬Ga上進行生長微米級2D GaN單晶，并證明2D GaN具有均勻增量晶格，獨特的聲子模式，藍移光致發光發射和提高內部量子效率，為以前的理論預測提供直接證據。生長的2D GaN表現出160cm 2 V-1 s-1的電子遷移率。這些發現為2D GaN單晶的潛在光電應用鋪平了道路。Yunxu Chen, Keli Liu, Jinxin Liu, Tianrui Lv, Bin Wei, Tao Zhang, Mengqi Zeng, Zhongchang Wang, Lei Fu, Growth of 2D GaN Single Crystals on Liquid Metals[J], J. Am. Chem. Soc., 2018.
DOI: 10.1021/jacs.8b08351
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.8b08351
來源：納米人網
